IRF2807STRLPBF IR TO-263 场效应管

IRF2807STRLPBF 产品信息：

数据列表 IRF2807(S,L)PbF;

标准包装   800

包装   标准卷带  

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 HEXFET®

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 82A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 43A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 160nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3820pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 230W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 D2PAK

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

IRF2807STRLPBF   技术资料：

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品牌资料：

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