供应蓝箭N沟道MOS管 BRCS4N10TA SOT-89封装

BlueRocket/蓝箭电子 BRCS4N10TA SOT-89塑封封装N沟道MOS场效应管

极限参数

● 漏源电压：100V
● 持续漏极电流：4A
● 脉冲漏极电流：16A
● 栅极-源极电压：±20V
● 总功耗：2.0W
● 操作和储存接头温度范围：-55至150℃
● 与环境的zui大连接t≤10s：62.5℃/W
● 环境稳态zui大结：87℃/W
● 导线稳态zui大结：55.5℃/W

用途

BRCS4N10TA适用于作负载开关或脉宽调制应用

BRCS4N10TA产品规格书（部分）

科瑞芯电子秉持[追求品质、专*业诚信、持续创*新]的理念，为客户提供工业标品质、低成*本的半导体件，提供专*业技术支援及完*整的解决方案。持续追求、不断创*新以及提供更佳更广的准、高服务，协助客户及厂商提高竞争能力，致力于成为电子半导体通路商之一。