HY27UF082G2B-TPIB 海力士原装闪存 现货供应

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HY27UF082G2B-TPIB SKhynix(海力士)NAND型闪存 原厂原装


制造商:SKhynix(海力士)

产品分类:NAND闪存

系列:-

存储格式:Flash memory

存储技术:FLASH-NAND

存储容量:2Gb

存储接口:并联

电压-电源:2.7V ~ 3.6V

工作温度:0°C ~ 85°C

安装类型:贴片

封装/外壳:TSOP-48

原厂包装:托盘

零件状态:批量生产

产品用途:SKhynix(海力士)的NAND型闪存芯片主要应用于云数据中心,智能电视,视频监控,汽车电子,物联网设备,网络机顶盒,通信设备,平板电脑等消费类以及工业类电子设备,SKhynix是全球第三大存储器产品供应商。我司供应的产品包含SKhynix的DRAM,NAND闪存,eMMC,eMCP嵌入式存储等全系列存储器产品。



NAND型闪存特性

NAND闪存的操作方式效率低,这和它的架构设计和接口设计有关,它操作方式有点像硬盘(其实NAND闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性),它的性能特点也很像硬盘:小数据块操作速度很慢,而大数据块速度就很快。NAND闪存的基本存储单元是页(Page)。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分,实际上还要加上16字节的校验信息,因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“(512+16)Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND闪存绝大多数是(512+16)字节的页面容量,2Gb以上容量的NAND闪存则将页容量扩大到(2048+64)字节。

NAND型闪存擦写方式

NAND闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数据,必须先擦除后写入,因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页,容量16KB;而大容量闪存采用2KB页时,则每个块包含64个页,容量128KB。

NAND型闪存接口

每颗NAND闪存的I/O接口一般是8条,每条数据线每次传输(512+16)bit信息,8条就是(512+16)×8bit,也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计,如SAMSUNG编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND闪存,容量1Gb,基本数据单位是(256+8)×16bit,还是512字节。寻址时,NAND闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包,每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大,一组8位地址只够寻址256个页,显然是不够的,因此通常一次地址传送需要分若干组,占用若干个时钟周期。

NAND型闪存寻址

NAND的地址信息包括列地址(页面中的起始操作地址)、块地址和相应的页面地址,传送时分别分组,至少需要三次,占用三个周期。随着容量的增大,地址信息会更多,需要占用更多的时钟周期传输,因此NAND闪存的一个重要特点就是容量越大,寻址时间越长。而且,由于传送地址周期比其他存储介质长,因此NAND闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。



价格说明

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型号

HY27UF082G2B-TPIB

品牌

SKhynix

封装

TSOP48

容量

2Gb

包装

托盘

存储技术

FLASH-NAND

存储格式

闪存

存储类型

非易失

安装类型

表面贴装