S34ML08G201BHI000 供应Cypress原装NAND

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S34ML08G201BHI000  Cypress(赛普拉斯)NAND闪存 原厂原装


制造商:Cypress(赛普拉斯)

规格型号:S34ML08G201BHI000

英文名称:NAND Flash

中文名称:快闪存储器

存储格式:NAND

安装类型:表面贴装

原厂包装:托盘

零件状态:批量生产
产品用途:Cypress公司是一家的芯片制造商,中文名称—赛普拉斯。 赛普拉斯在纽约股票交易所上市,在数据通信、消费类电子等广泛领域均提供芯片解决方案。我司分销的产品包括NAND/NOR型闪存,FRAM铁电存储,SRAM静态随机存储器等存储类芯片。主要用于数据传输、远程通讯、PC和军用系统。


NAND闪存概述

NAND闸高速缓存利用穿隧注入(Tunnel injection)写入,以及穿隧释放(Tunnel release)抹除。NAND Flash在今天的U盘与多数储存卡上都可看到。东芝在1989年发表了NAND Flash架构,这种存储器的访问方式类似硬盘、储存卡之类的区块性存储设备,每个区块由数个页所构成。一般来说这些页的大小为512或2048或4096字节。在各个页之间彼此的连接区域会有几个字节(一般而言是数据大小的1/32),这些空间用于存储错误修正码的校验和。


读取与写入动作可以以“页”为单位偏移量进行,抹除动作只能以“区块”为单位偏移量进行。NAND Flash还有一项限制就是区块内的数据只能序列性的写入。操作次数(Number of Operations, NOPs)则代表“页”可以被写入的次数。当前MLC的NOPs是1;而SLC则是4。NAND Flash也需要由设备驱动程序软件或分离的控制器芯片来进行坏区管理,例如SD卡内部便包含实行坏区管理与耗损平衡的电路。当一个逻辑区被高端软件访问时,逻辑区对应到实体区的工作则由驱动程序或控制器进行。


价格说明

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购买说明

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型号

S34ML08G201BHI000

品牌

Cypress

封装

BGA-63

容量

8Gb

包装

托盘

类型

FLASH-NAND