原装供应晶体管STW26NM60N

地区:广东 深圳
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STW26NM60N产品描述: 

产品种类:MOSFET

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:600 V

闸/源击穿电压:+/- 25 V

漏极连续电流:20 A

STW26NM60N导通电阻:135 mOhms

配置:Single

最大工作温度:+ 150 C

STW26NM60N安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247

封装:Tube

商标:STMicroelectronics

下降时间:50 ns

正向跨导 - 最小值:10 S

STW26NM60N最小工作温度:- 55 C

功率耗散:140 W

上升时间:25 ns

系列:STW26NM60N

工厂包装数量:30

典型关闭延迟时间:85 ns 

 

晶体管是一种半导体器件,放大器或电控开关常用。

晶体管是规范操作电脑,手机,和所有其英特尔3D晶体管技术

他现代电子电路的基本构建块。

由于其响应速度快,准确性高,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能,包括放大,开关,稳压,信号调制和振荡器。

晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域,可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。

 

晶体管的发展 

1)真空三极管

1939年2月,Bell实验室有一个伟大的发现,硅p_n结的诞生。1942年,普渡大学Lark_Horovitz领导的课题组中一个名叫Seymour Benzer的学生,发现锗单晶具有其它半导体所不具有的优异的整流性能。这两个发现满足了美国政府的要求,也为随后晶体管的发明打下了伏笔 。

2)点接触晶体管

1945年二战结束,Shockley等发明的点接触晶体管成为人类微电子革命的先声。为此,Shockley为Bell递交了第一个晶体管的专利申请。最终还是获得了第一个晶体管专利的授权 [2]  。

3)双极型与单极型晶体管

Shockley在双极型晶体管的基础上,于1952年进一步提出了单极结型晶体管的概念,即今天所说的结型晶体管。其结构与pnp或npn双极型晶体管类似,但在p_n材料的界面存在一个耗尽层,以使栅极与源漏导电沟道之间形成一个整流接触。同时两端的半导体作为栅极。通过栅极调节源漏之间电流的大小 [2]  。

4)硅晶体管

仙童半导体由一个几人的公司成长为一个拥有12000个职工的大企业 [2]  。

5)集成电路

在1954年硅晶体管发明之后,晶体管的巨大应用前景已经越来越明显。科学家的下一个目标便是如何进一步把晶体管、导线及其它器件高效地连接起来  。




型号/规格

STW26NM60N

品牌/商标

ST(意法半导体)

封装形式

TO247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

管装

功率特性

大功率

频率特性

中频

极性

NPN型