K4B1G1646I-BCMA

供应商

Samsung Electronics

产品类别

DRAM 芯片

说明

DRAM Chip DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V

受到东芝工厂停产及日韩贸易战导致存储器价格将反转契机出现，NAND Flash价格调涨从7月开始显现，而国际大厂之间的技术竞争更是暗潮汹涌。

业界认为，随著各家大厂96层3D NAND迈入量产，2019年下半将开始进入新一代制程竞争，三星电子(Samsung Electronics)不仅将量产的第六代3D V NAND(即120/128层)，旗下的Z-NAND将与东芝存储器研发的XL-Flash形成对决，并与英特尔、美光的3D XPoint抢攻资料中心的储存市场大饼。

2019年快闪存储器(Flash Memory Summit)即将于8月在美国登场，各家大厂将纷纷亮出战略性武器展示火力，而即将于2019 年10 月1 日正式改名为Kioxia的东芝存储器展开上市规划。据透露，XL-Flash将成为东芝存储器此次力拱的发表重点，由于具有低延迟的特性，将锁定于资料中心及特殊商用市场。

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