IRFP90N20DPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N沟道
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:200 V
Id-连续直流电流:94 A
Rds上漏源导通电阻:23毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:30 V
Qg-萘甲酸:180 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:580 W
通道模式:增强
封装:Tube
配置:单
高度:20.7毫米
长度:15.87毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:5.31毫米
商标:Infineon Technologies
正向跨导-对抗:39 S
下降时间:79 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:160 ns
工厂包装数量:400
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:43 ns
典型终止时间:23 ns
零件号别名:IRFP90N20DPBF SP001552070
单位重量:38 g

应用领域
•高频DC-DC转换器
•无铅
好处
•低的栅极到漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容,包括有效的COSS来简化设计,(请参见应用笔记AN1001)
•完全表征的雪崩电压和电流

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

94®

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

66

IDM

Pulsed Drain Current CD

380

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

580

W

 

Linear Derating Factor

3.8

W/°C

VGS

dv/dt

Gate-to-Source Voltage

Peak Diode Recovery dv/dt CT

± 30

6.7

V

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

 

Mounting torqe, 6-32 or M3 screw

10 lbf•in (1.1N•m)

热阻

 

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJC

Junction-to-Case

–––

0.26

 

°C/W

RqCS

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

0.24

–––

RqJA

Junction-to-Ambient

–––

40


型号/规格

IRFP90N20DPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装