IRFR3910TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：15 A
Rds上漏源导通电阻：115毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：29.3 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：52 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：25 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：27 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：37 ns
典型起始延迟时间：6.4 ns
零件号别名：IRFR3910TRPBF SP001560674
单位重量：4 g
特征

e超低导通电阻
表面安装（RFR3910）
直管（RF03910）
先进工艺技术
快速切换
完全雪崩额定值

无铅

说明
来自国际整流器的第五代HEXFET利用先进的工艺技术，

使每片硅面积的导通电阻尽可能低，结合HEXFET功率

mosfet众所周知的快速开关速度和加固器件设计，为设

计人员提供了一种非常高效的设备，可用于多种应用。

D-PAK是为使用气相、红外或波峰焊接技术进行表面安装

而设计的。直引线版本（R-U系列）适用于通孔安装应用

。在典型的表面贴装应用中，功耗水平可达到1.5瓦
绝对最大额定值spaetemaxunits“Ib 0至-25c连续漏极

电流Ves 10V16b@To=100c连续漏极电流，10V脉冲漏极

电流下的Vos①⑤订单@至=25%C功耗线性降额系数

0.53W/ocVEGate-to-source Voltage±20V单脉冲雪崩

能量G150Javalanche Currentd①÷AERepetitive Avalanche Energyo

（）Jdv/dtPeak二极管恢复dv/dt 3\ms工作结和5to+175存储温

度范围焊接温度。持续10秒300（1。距外壳热阻参数最大值6mm。

单元R接线盒1.9接线盒至环境（PCB安装）接线盒至环境110°C。