IRFP064NPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：98 A
漏源导通电阻：8 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：113.3 nC
Pd-功率耗散：150 W
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.31毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFP064NPBF SP001554926
单位重量：5.600克
HEXFETO功率mosfet先进工艺技术低通电阻

vdss=55v动态dv/dt额定175c工作温度efast开关rds

（开）=0。00892全雪崩率dgid=110a6描述国际整流器

第二代六角场效应晶体管利用先进的加工技术实现每硅

面积的极低导通电阻。HEXFET功率mosfet以这种有益的

器件设计而闻名，它为设计者提供了一种极为有效和可靠

的器件，可用于多种应用。在功率水平较高而不使用o-220

器件的商业工业应用中，优选使用TO-247封装。TO-247与

TO-247相似，但优于先前的TO-218封装，因为其独立安装

的绝对最大额定值SPARAMEtermaxUnits2 Tc=25C连续漏

极电流，Vss 10V1106[b e T=100C连续漏电流Ves 0 10v脉冲

漏电流os390PDQTC=25C功率耗散线性降额因子pcgate-T O-source

电压+20单脉冲雪崩能量@oARAvalanche电流定向雪崩能量O dv/dtPeak二极管

恢复dv/dto 65.0工作结和55-175tg存储温度焊接温度范围，持续10秒300

（1。距壳体安装扭矩6mm。6-32或M3 srew10 Ibfin（1。1NM）热阻参数最大值

。UnitsJun Action-to-case0.75RecsCase-to-sink，平面，润滑表面0.24。对周围环境的影响