AUIRFR2905Z MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:55 V
Id-连续直流电流:59 A
Rds上漏源导通电阻:14.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:29 nC
最小工作温度:-55 C
Pd-功率耗散:110 W
通道模式:增强
资质:AEC-Q101
封装:Tube
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:6.22毫米
商标:Infineon / IR
下降时间:35 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:66 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:31 ns
典型起始延迟时间:14 ns
零件号别名:AUIRFR2905Z SP001518150
单位重量:550毫克
描述
这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计,

利用最新的处理技术,使每个硅面积的导通电阻极低。

 此设计的其他功能是175°C的结温,快速的开关

速度和改进的重复雪崩额定值。 这些功能相结合,

使该设计成为一种非常有效且可靠的器件,可用于汽车应用以及各种其他应用。
最大绝对额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

59

 

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

42

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)

42

IDM

Pulsed Drain Current 

240

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

110

W

 

Linear Derating Factor

0.72

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

EAS

Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)

55

mJ

EAS (Tested)

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

82

IAR

Avalanche Current 

See Fig.15,16, 12a, 12b

A

EAR

Repetitive Avalanche Energy

mJ

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)

300


型号/规格

AUIRFR2905Z

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装