IRFHM8334TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:PQFN-8
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:13 A
Rds上漏源导通电阻:11.2毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V
Qg-萘甲酸:15 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.7 W
商标名:SmallPowIR
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:0.9毫米
长度:3.3毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:3.3毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-预期:44 S
下降时间:4.6 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:14 ns
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:7 ns
典型起始延迟时间:8.3 ns
零件号别名:SP001570906
应用领域
高频降压转换器的控制MOSFET

特征
对PCB的低热阻(<4.5°C / W)
薄型(<1.2mm)
行业标准引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS,无卤素
MSL1,消费者资格认证
好处
实现更好的散热
功率密度增加
多厂商兼容性
更容易制造
环保
可靠性更高
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

13

 

 

 

A

ID @ TC(Bottom) = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

43…†

ID @ TC(Bottom) = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

27…†

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Source Bonding Technology Limited)

25

IDM

Pulsed Drain Current

176

PD @TA = 25°C

Power Dissipation

2.7

W

PD @TC(Bottom) = 25°C

Power Dissipation

28

 

Linear Derating Factor

0.021

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

型号/规格

IRFHM8334TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

PQFN

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装