IRL2203NS MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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深圳市凯斯宇科技有限公司

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:116 A
Rds上漏源导通电阻:10毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:16 V
Qg-萘甲酸:40 nC
Pd-功率耗散:170 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:6.22毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:800
子类别:MOSFET
零件号别名:IRL2203NSTRLPBF SP001568324
单位重量:4 g
特征

•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•100%RG测试
•无铅
描述
国际整流器公司(International Rectifier)的高级HEXFET®功率

MOSFET利用先进的处理技术,使每个硅面积的导通电阻极低。

 这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和

坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其有效

和可靠的器件,可广泛用于各种应用中。
D2Pak是一种表面安装电源封装,能够容纳高达HEX-4的裸片尺寸。

 它在任何现有的表面贴装封装中提供最高的功率能力和的

导通电阻。 D2Pak的内部连接电阻低,因此适合大电流应用,

在典型的表面安装应用中,其耗散功率高达2.0W。 

通孔版本(IRL2203NL)可用于薄型应用。

最大绝对额定值

Symbol

Parameter

Max

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

116 0

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

82

IDM

Pulsed Drain Current CD

400

PD @TA = 25°C

Power Dissipation

3.8

W

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

180

W

 

Linear Derating Factor

1.2

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 16

V

IAR

Avalanche Current CD

60

A

EAR

Repetitive Avalanche Energy CD

18

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt Q)

5.0

V/ns

TJ

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

 

°C

TSTG

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case)

型号/规格

IRL2203NS

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装