ADR444BRZ 参考电压 ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Analog Devices Inc.
产品种类:参考电压
RoHS:详细信息
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SOIC-8
参考类型:系列精密参考
输出电压:4.096 V
温度系数:1 PPM / C
分流电流—可靠性:10 mA
参考电压最小工作温度:-40 C
参考电压最大工作温度:+ 125 C
系列:ADR444
封装:Tube
精度:50 ppm / mA
描述/功能:4.096 V高精度LDO XFET参考,用于高性能sigma-delta转换器
高度:1.5毫米
输入电压:4.6 V至18 V
长度:5毫米
输出电流:10 mA
产品:电压基准
参考电压宽度:4毫米
商标:Analog Devices
拓扑结构:系列参考
负载调节:50 ppm / mA
工作电源电流:3.75 mA
产品类型:电压基准
子类别:PMIC-电源管理IC
单位重量:540毫克
特征
超低电压噪声(0.1 Hz至10 Hz):1.2 μV p-p
极好的温度漂移:5 ppm /°C
低压差操作(电源电压裕量):500 mV
电源电压工作范围:3 V至18 V
高输出源电流和灌电流
分别为+10 mA和-5 mA
增强的产品功能
支持国防和航空航天应用(AQEC
标准)
军用温度范围(−55°C至+ 125°C)
受控的生产基准
1个组装/测试地点
1个生产基地
产品变更通知
可根据要求提供鉴定数据
应用领域
精密数据采集系统
高分辨率数据转换器
电池供电的仪器
精密仪器
军事通讯
无人系统
航空电子
一般说明
ADR441-EP1是XFET®电压基准,具有
超低噪声,高精度和低温漂移
性能。使用ADI公司的温度漂移
曲率校正和额外注入结FET(XFET)
技术中,电压变化与温度非线性关系
ADR441-EP大大减少了。
XFET参考具有比掩埋更好的噪声性能
齐纳基准,XFET基准关闭
低电源电压裕量(500 mV)。这种结合
特性使ADR441-EP非常适合精度要求
信号转换在高端数据采集中的应用
系统,军事通信和航空电子应用。
ADR441-EP能够提供高达+10 mA的电流
输出电流,灌电流达−5 mA。该设备也来了
带有微调端子,可将输出电压调节至0.5%以上
范围而不会影响性能。
ADR441-EP采用8引脚窄型SOIC封装。
ADR441-EP的额定温度范围是军用温度范围
-55°C至+ 125°C的温度范围附加应用和技术
有关信息,请参见ADR441数据手册。

型号/规格

ADR444BRZ

品牌/商标

ADI/亚德诺

封装

SOIC-8

批号

20+

数量

10000

包装方式

盘装

安装方式

SMD/SMT

工作温度

- 40 C~+125 C