IRFH5053TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：PQFN-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：46 A
Rds上漏源导通电阻：18毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：24 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：3.1 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1毫米
长度：6 mm
MOSFET晶体管类型：1 N沟道
宽度：5毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：9.9 ns
湿度敏感性：是
产品类型：MOSFET
上升时间：14.6 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：18 ns
典型起始延迟时间：8.6 ns
零件号别名：IRFH5053TRPBF SP001556266
应用领域
•三相升压转换器应用
•二次侧同步整流
好处
•VDS为10V时非常低的RDS（ON）
•低门收费
•完全表征的雪崩电压和电流
•100％经过RG测试
•无铅（符合260°C回流焊标准）
•符合RoHS（无卤素）
•低热阻
•大源头引线，焊接更可靠

最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	100	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
ID @ T_A = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	9.3	A
ID @ T_A = 70°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	7.4
ID @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	46
IDM	Pulsed Drain Current CD	75
PD @T_A = 25°C	Power Dissipation �	3.1	W
PD @T_A = 70°C	Power Dissipation �	2.0	W
	Linear Derating Factor �	0.025	W/°C
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

型号/规格

IRFH5053TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

PQFN

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装