IRLMS6802TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TSOP-6
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：5.6 A
Rds上漏源导通电阻：50毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Qg-血浆甲醛：11 nC
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：3 mm
晶体管类型：1 P通道
宽度：1.5毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLMS6802TRPBF SP001568566
单位重量：20毫克
特征
•超低导通电阻
•P沟道MOSFET
•表面贴装
•提供卷带包装
•无铅
描述
这些来自国际整流器公司（International Rectifier）的P沟道
MOSFET利用先进的处理技术来实现每硅面积的极低导通电阻。
这一好处为设计人员提供了一种非常高效的设备，可用于电
池和负载管理应用。
Micro6™封装及其定制的引线框架可生产HEXFET®功率MSFET，
其RDS（on）比类似尺寸的SOT-23小60％。 该封装非常适合印
刷电路板空间非常宝贵的应用。 独特的散热设计和RDS（on）
降低使电流处理能力提高了近300％与SOT-23相比。
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain- Source Voltage |
-20 |
V |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V |
-5.6 |
A |
|
ID @ TA= 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V |
-4.5 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
-45 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
2.0 |
w |
|
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation |
1.3 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.016 |
W/°C |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy© |
31 |
mJ |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 12 |
V |
|
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
IRLMS6802TRPBF
IR
SOT-23-6
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
