IRFR4105ZTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：30 A
Rds上漏源导通电阻：24.5毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-血浆甲醛：27 nC
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：48 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：16 S
下降时间：24 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：40 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFR4105ZTRPBF SP001557018
单位重量：4 g
特征
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅
描述
这款HEXFET®功率MOSFET利用最新的处理技术，

使每个硅面积的导通电阻极低。此设计的其他

功能是175°C的结温，快速的开关速度和改进的

重复雪崩额定值。这些功能相结合，使该设计成

为一种非常有效和可靠的设备，可用于多种应用。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	30	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	21
IDM	Pulsed Drain Current CD	120
PD @TC = 25°C	Power Dissipation	48	W
	Linear Derating Factor	0.32	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS (Thermally limited)	Single Pulse Avalanche EnergyG)	29	mJ
E_AS (Tested )	Single Pulse Avalanche Energy Tested Value ®	46	mJ
IAR	Avalanche Current CD	See Fig.12a, 12b, 15, 16	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy @	See Fig.12a, 12b, 15, 16	mJ
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting Torque, 6-32 or M3 screw	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRFR4105ZTRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装