IRLZ44NPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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深圳市凯斯宇科技有限公司

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:55 V
Id-连续直流电流:41 A
Rds上漏源导通电阻:35毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:16 V
Qg-血浆甲醛:32 nC
Pd-功率耗散:83 W
封装:Tube
配置:单
高度:15.65毫米
长度:10毫米
MOSFET晶体管类型:1 N沟道
宽度:4.4毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRLZ44NPBF SP001568772
单位重量:6 g

特征
•逻辑级门驱动
•先进的工艺技术
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
来自国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,

以使每个硅面积的导通电阻尽可能低。 这种好处与HEXFET

功率M0SFET的快速开关速度和坚固的设备设计相结合,

为止痛提供了设计者非常高效的设备,可广泛用于各种应用中。
T0-220封装普遍适用于所有商业工业应用,其功耗水平约为50瓦。

 T0-220的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

47

 

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

33

A

IDM

Pulsed Drain Current CD

160

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

110

W

 

Linear Derating Factor

0.71

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

16

V

EAS

Single Pulse Avalanche Energy 0

210

mJ

IAR

Avalanche CurrentCD

25

A

EAR

Repetitive Avalanche EnergyCD

11

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt a>

5.0

V/ns

TJ

Operating Junction and

-55 to + 175

 

TSTG

Storage Temperature Range

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case)

 

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRLZ44NPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装