IRLZ24NPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：18 A
Rds上漏源导通电阻：105毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-血浆甲醛：10 nC
Pd-功率耗散：45 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLZ24NPBF SP001553022
单位重量：6 g
HEXFET功率MOSFETLogic电平栅极驱动先进工艺技术动态dv/dt

额定值vpss=55V175“C工作温度fast开关rds（开=0。0692全雪崩率

dGSCRIPTIONID=18如果国际整流器的第二代六角场效应晶体管

采用先进的加工技术，以实现每个硅区域的最小电阻。这一优点

与HEXFET功率mosfet众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件

设计相结合，为设计师提供了一个极为高效的设备，可用于多种

应用。TO-220封装是所有商业工业应用的普遍首选，功耗水平约为50瓦。

TO-220的低热阻和较低的封装成本有助于其在整个行业的广泛接受，

绝对最大额定功率pArameterid Q Tc=25℃连续漏极电流，Vos 10VI

装置118ID Q TO=100℃连续漏极电流，Vos 10V脉冲漏极电流

OP QTC=25℃功耗线性降额系数0。30WPCGate到源电压+16单脉

冲雪崩能量o68雪崩电流重复雪崩能量o4.5dv/dtPeak二极管恢复

dv/dt e5.0V/nstjo工作结和05到+175存储温度范围焊接温度，

持续10秒300（1）。6毫米（从外壳）安装扭矩，6-32或M3螺钉

10 Ibfin（1。1NM）热阻参数典型值：MaxUnitsFunction-to-case3.3Case-to-sink，

平面，润滑表面0.50连接到环境62