IRF1010ZSTRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-263-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:55 V
Id-连续直流电流:94 A
Rds漏源导通电阻:7.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:63 nC
Pd-功率耗散:140 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:4.4毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:9.25毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:800
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF1010ZSTRLPBF SP001564488
单位重量:4 g
特征
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•175°C工作温度
•快速切换
•重复雪崩允许最大Tjmax
•无铅
描述
这款HEXFET®功率MOSFET利用最新的处理技术,

使每个硅面积的导通电阻极低。 此设计的其他功

能是175°C的结温,快速的开关速度和改进的重

复雪崩额定值。 这些功能相结合,使该设计成

为一种非常有效和可靠的设备,可用于多种应用。

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

94

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

66

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)

75

IDM

Pulsed Drain Current CD

360

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

140

W

 

Linear Derating Factor

0.90

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

EAS (Thermally limited)

Single Pulse Avalanche EnergyG)

130

mJ

EAS (Tested )

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value ®

180

IAR

Avalanche Current CD

See Fig.12a, 12b, 15, 16

A

EAR

Repetitive Avalanche Energy @

mJ

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

 

Mounting Torque, 6-32 or M3 screw 0

10 lbfin (1.1Nm)

型号/规格

IRF1010ZSTRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-263

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装