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AO4812A 双N 30V 低功耗MOS 无线应用

地区：广东 深圳
认证： 无

亚芯电子（深圳）有限公司

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AO4812 双N沟道  30V  低功耗MOSFET    AO4812产品应用于    

标准包装   3,000
包装   标准卷带 
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列 -


规格
FET 类型 2 N-通道（双）
FET 功能 标准
漏源电压（Vdss） 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 30 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 6.3nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 310pF @ 15V
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
型号/规格

AO4812

品牌/商标

AOS

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

中功率

电压

30V

FET类型

2个N沟道