SI9424BDY-T1-E3

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详细介绍：

数据列表SI9424BDY;标准包装  1包装  剪切带（CT）

 零件状态停產类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET -

 单系列TrenchFET®规格FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）20V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）25 毫欧 @ 7.1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）850mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）40nC @ 4.5VVgs（最大值）±9VFET 

功能-功率耗散（最大值）1.25W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

文档PCN 过时产品/ EOLPCN- SIL-0722014 10/Jun/2014

数据列表SI9424BDY;标准包装  1包装  剪切带（CT）

零件状态停產类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET -

单系列TrenchFET®规格FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）20V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）25 毫欧 @ 7.1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）850mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）40nC @ 4.5VVgs（最大值）±9VFET

功能-功率耗散（最大值）1.25W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

文档PCN 过时产品/ EOLPCN- SIL-0722014 10/Jun/2014

数据列表SI9424BDY;标准包装  1包装  剪切带（CT）

零件状态停產类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET -

单系列TrenchFET®规格FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）20V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）25 毫欧 @ 7.1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）850mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）40nC @ 4.5VVgs（最大值）±9VFET

功能-功率耗散（最大值）1.25W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

文档PCN 过时产品/ EOLPCN- SIL-0722014 10/Jun/2014

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