图文详情
产品属性
相关推荐
欢迎来到 STL56N3LLH5的产品页面!
包装 标准卷带 零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列STripFET™ V
规格FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)56A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)9 毫欧 @ 7.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)6.5nC @ 4.5VVgs(最大值)+22V,-20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)950pF @ 25VFET 功能-功率耗散(最大值)62.5W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
包装 标准卷带 零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列STripFET™ V规格FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)56A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)9 毫欧 @ 7.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)6.5nC @ 4.5VVgs(最大值)+22V,-20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)950pF @ 25VFET 功能-功率耗散(最大值)62.5W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
包装 标准卷带 零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列STripFET™ V
规格FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)56A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)9 毫欧 @ 7.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)6.5nC @ 4.5VVgs(最大值)+22V,-20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)950pF @ 25VFET 功能-功率耗散(最大值)62.5W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
包装 标准卷带 零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列STripFET™ V规格FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)56A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)9 毫欧 @ 7.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)6.5nC @ 4.5VVgs(最大值)+22V,-20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)950pF @ 25VFET 功能-功率耗散(最大值)62.5W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
包装 标准卷带 零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列STripFET™ V规格FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)56A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)9 毫欧 @ 7.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)6.5nC @ 4.5VVgs(最大值)+22V,-20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)950pF @ 25VFET 功能-功率耗散(最大值)62.5W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
感谢来到 STL56N3LLH5的产品页面!由亚芯电子(深圳)有限公司为您提供,位于坂田华众科技园,我们将以最贴心的服务,给您最好的品质!
STL56N3LLH5
ST(意法半导体)
STL56N3LLH5
普通型
贴片式
单件包装
小功率
中频
NPN型