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数据列表GKI03039;
标准包装 5,000包装
标准卷带 零件状态有源
类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列-
规格FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)
30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)18A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)3.8 毫欧 @ 47.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 650μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)38.8nC @ 10VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2460pF @ 15V
FET 功能-功率耗散(最大值)3.1W(Ta),59W(Tc)工作温度150°C(TJ)
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标准包装 5,000包装 标准卷带 零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列-
规格FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)18A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)3.8 毫欧 @ 47.2A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 650μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)38.8nC @ 10VVgs(最大值)±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2460pF @ 15VFET 功能-功率耗散(最大值)3.1W(Ta),59W(Tc)工作温度150°C(TJ)
数据列表GKI03039;
标准包装 5,000包装 标准卷带 零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列-
规格FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)18A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)3.8 毫欧 @ 47.2A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 650μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)38.8nC @ 10VVgs(最大值)±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2460pF @ 15VFET 功能-功率耗散(最大值)3.1W(Ta),59W(Tc)工作温度150°C(TJ)
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GKI03039
PANASONIC(松下)
GKI03039
普通型
贴片式
卷带编带包装
小功率
低频
PNP型