供应IPD30N03S4L-14 晶体管
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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型号
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IPD30N03S4L-14
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类别
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制造商
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系列
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包装
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卷带（TR）剪切带（CT）
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Product Status
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在售
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FET 类型
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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驱动电压
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4.5V，10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻
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13.6 毫欧 @ 30A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)
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2.2V @ 10μA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
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14 nC @ 10 V
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Vgs
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±16V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
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980 pF @ 25 V
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FET 功能
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-
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功率耗散
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31W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安装类型
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供应商器件封装
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PG-TO252-3-11
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封装/外壳
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基本产品编号
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IPD30N03S4L-14
INFINEON/英飞凌
TO-252
21+
100000
2500个/圆盘
