n沟道mosfet价格NCE6003Y

　　n沟道mosfet价格NCE6003Y一般特征：

　　VDS=60V,ID=3A

　　RDS(ON)<105mΩ@vg=10v

　　RDS(ON)<125mΩ@vg=4.5v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　n沟道mosfet价格NCE6003Y参数：

　　型号：NCE6003Y

　　品牌：NCE新洁能

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：60V

　　连续漏极电流（最大）：3A

　　功率耗散（最大）：1.7W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：78mΩ

　　漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：95mΩ

　　封装：SOT23-3L

　　n沟道mosfet价格NCE6003Y应用程序：

　　电池开关

　　直流/直流转换器

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：60v

　　栅源电压：±20v

　　漏电流连续：3a

　　漏电流脉冲：10a

　　最大功耗：1.7W

　　工作结和储存温度范围：-55~150℃

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　　战略目标：争做第一代理，打造“誉辉天成”品牌，创建特色企业文化，创造社会价值。

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