NCE12P09S型号新洁能品牌

　　NCE12P09S一般特点：

　　vds=-12V,ID=-9A

　　rds(ON)<22m?@VGS=-2.5V

　　rds(ON)<18m?@VGS=-4.5V

　　先进的沟槽MOSFET工艺技术

　　超低导通电阻，低栅电荷

　　NCE12P09S应用程序：

　　脉宽调制的应用程序

　　负荷开关

　　手机电池充电

　　NCE12P09S封装展示：

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源极电压：-12V

　　栅源电压：±12V

　　漏极电流连续：9

　　漏极电流脉冲(注1)：-60

　　最大功耗：2.5W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　电气特性(TA=25℃，除非另有说明）：