供应功率管IRF640NPBF原装，假一赔十，价格优惠！

标准包装：50

类别：分离式半导体产品

家庭：FET-单路

系列：HEXFET®

FET型：MOSFETN通道，金属氧化物

FET特点：Standard

开态Rds（最大）@Id,Vgs@25°C：150毫欧@11A,10V

漏极至源极电压(Vdss)：200V

电流-连续漏极(Id)@25°C：18A

Id时的Vgs(th)（最大）：4V@250µA

闸电荷(Qg)@Vgs：67nC@10V

在Vds时的输入电容(Ciss)：1160pF@25V

功率-最大：150W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220AB

包装：管件