CSD86360Q5D

产品属性类型描述

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商
Texas Instruments

系列
NexFET™

包装
卷带（TR）
剪切带（CT）

产品状态
在售

FET 类型
2 个 N 通道（半桥）

FET 功能
逻辑电平门

漏源电压（Vdss）
25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A

不同 Id、Vgs 时导通电阻、
-

不同 Id 时 Vgs(th)、
2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)、
12.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)、
2060pF @ 12.5

13W

工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型
表面贴装型

封装/外壳
8-PowerLDFN

供应商器件封装
8-LSON（5x6）

基本产品编号

CSD86360Q5

型号/规格

CSD86360Q5D

品牌/商标

Texas Instruments

封装形式

8-PowerLDFN

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

大功率

供应CSD86360Q5D