LTC4451可在15mV时调节正向电压，从而与肖特基二极管相比，限度地降低功耗。在diode-OR应用中，调节可确保平稳的电流传输而不会产生振荡。当功率MOSFET完全增强时，晶体管的RDS(ON)为21mΩ。该功率MOSFET具有高达7A额定正向导通电流，同时耗散1.34W功率。具有快速瞬态响应的高性能栅极驱动器可限度地降低正向功耗和反向电流。VCC输入允许在低电压应用中工作时VIN低至接地。Analog Devices Inc. LTC4451采用小型16引脚2mm × 3mm LQFN封装。