BSC035N04LSG晶体管FET

BSC035N04LSG   分立半导体产品   晶体管  FET  MOSFET  单 （百分百原装现货  优势供应）

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  无铅环保  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 64 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

高度: 1.27 mm  

长度: 5.9 mm  

系列: OptiMOS 3  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5.15 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值: 60 S  

下降时间: 5 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 4.6 ns  

工厂包装数量: 5000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 31 ns  

典型接通延迟时间: 7.9 ns  

零件号别名: BSC035N04LSGATMA1 BSC35N4LSGXT SP000391503  

单位重量: 100 mg  

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