大功率NMOSFET场效应管

    大功率NMOSFET场效应管

    型号/规格：   5N20

    品牌/商标： JXVSEMI

    封装形式： TO-252/TO-251

    环保类别： 无铅环保型

    安装方式： 贴片式

    包装方式： 卷带编带包装

    功率特征：大功率

    NMOSFET场效应管的原理

    MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就RDS(on)而言，为得到相等的值，P沟道的管芯尺寸大约是N沟道的三倍。因此N沟道的管芯尺寸更小。

    N沟道场效应管开关电路N沟道MOSFET在栅-源极端子上施加适当阈值的正电压时导通；P沟道MOSFET通过施加给定的负的栅-源极电压导通。

  大功率NMOSFET场效应管  特点
    （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。
    （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

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