K9G4G08UOB-PCBOmp3闪存芯片

K9G4G08UOB-PCBOmp3闪存芯片主图

K9G4G08UOB-PCBOmp3闪存芯片参数

制造商IC编号K9G4G08UOB-PCBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码512MX8 NAND MLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9G4G08UOB-PCBOmp3闪存芯片相关信息

据报道，三星电子于 4 月 24 日公布其芯片业务的发展规划“半导体远景 2030”。根据该计划，截至 2030 年该公司将投资 133 万亿韩元（合 1157 亿美元）用于逻辑芯片的研发和生产（包括代工），以及为相关专业人才创造 15000 个就业岗位。

但目前为止，三星还未在逻辑芯片及芯片代加工领域取得较高的行业地位，而上述业务占据了整个芯片市场高达 70%的价值。

逻辑芯片方面，目前三星所占市场份额不足 3%，这也是该公司未来打算着重发展的领域。根据该公司的规划，“这笔投资将帮助公司实现其 2030 年成为内存芯片和逻辑芯片双领域的目标”。

三星表示，这笔 133 万亿韩元的投资将分为两部分，其中 60 亿韩元用于投资生产所用基础设施的建设，另 73 亿韩元用于开展研发。另外，这项计划预计将为就业市场新增 15000 名专业人才，并间接创造约 42 万个就业岗位。

芯片代工方面，三星还有着需要克服的难关。当前市场份额遥遥领先的企业是台湾台积电公司。根据 TrendForce 的数据，2019 年第一季度，台积电在芯片代工领域市场份额高达 48.1%，而位居第二名的三星市场份额仅为 19.2%。

并且，由于芯片需求今年以来的严重下滑，各大代工厂商一季度营收增长均出现逾 10%的同比下滑