K9F1G08UOA-PCBO闪存芯片

K9F1G08UOA-PCBO闪存芯片主图

K9F1G08UOA-PCBO闪存芯片参数

制造商IC编号K9F1G08UOA-PCBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码128MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9F1G08UOA-PCBO闪存芯片相关信息

于Xtacking技术，相信很多人都不是很了解，其实，如果了解了一下现在芯片的结构，大致上就知道Xtacking技术的牛气之处了，而一般来说，现在的3D NAND是把内存颗粒堆叠到一起，来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。

因为这个问题的存在，现在人们为了追求存储密度的提升，所能够达到的3D NAND I/O速度的最高值为1.4Gbps，一般情况下，人们所能够使用到的已经商业化的闪存的I/O速度要比这个数值低很多，而Xtacking技术的厉害之处就是在于可以将NAND的I/O速度提升到3.0Gbps，同时却不影响存储密度。

Xtacking技术之所以能够实现这一高速度，关键点就是在于很好地解决了外围电路和存储单元的结合问题，通俗解释就是，在进行晶圆加工的时候，对外围电路和存储单元进行分别加工，这样，这两个部分都可以选择最为合适或者是最先进的制造工艺，当这两部分晶圆都完工而需要对接的时候，Xtacking技术则可以通过数十亿根垂直互联通道轻松将两块晶圆键合。

这样，无论是外围电路晶圆还是存储单元的晶圆都可以选择最为先进的制造工艺了，自然在I/O传输速度以及存储密度上有了更大提升了，所制造出来的闪存自然是性能更加先进的了！我们也有一心一意做研究的企业，在存储的发展上，长江存储给我们的半导体产业打了一剂强心针，这说明我们还是可以做出很好的国产存储产品的，好好发展半导体产业，好好发展存储产业，为我们的科研人员点赞！