K9F1208U0A-YIB0存储芯片经销商

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K9F1208U0A-YIB0存储芯片经销商参数

制造商IC编号K9F1208U0A-YIB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码64MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保含铅

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

K9F1208U0A-YIB0存储芯片经销商相关信息

应用陶瓷电容器首先要注意的就是其温度特性；不同材料的陶瓷介质，其温度特性有极大的差异。根据美国标准EIA-198-D，在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分：第一部分为（例如字母C）温度系数α的有效数字；第二位部分有效数字的倍乘（如0即为100）；第三部分为随温度变化的容差（以ppm/℃表示）。这三部分的字母与数字所表达的意义如表。

例如，C0G（有时也称为NP0）表示为：第一位字母C为温度系数的有效数字为0，第二位数字0为有效温度系数的倍乘为100=1，第三位字母G为随温度变化的容差为±30ppm/℃，即0±30ppm/℃；C0H分别表示为：第一位字母C为温度系数的有效数字为0，第二位数字0为有效温度系数的倍乘为100=1，第三位字母H为随温度变化的容差为±60ppm/℃，即0±60ppm/℃；S2H则分别表示为：第一位字母S为温度系数的有效数字为3.3，第二位数字2为有效温度系数的倍乘为102=100，第三位字母H为随温度变化的容差为±60ppm/℃，即－330±60ppm/℃

第一类陶瓷电容器的电容量几乎不随温度变化，下面以C0G介质为例。C0G介质的变化量仅0±30ppm/℃，实际上C0G的电容量随温度变化小于0±30ppm/℃，大约为0±30ppm/℃的一半。