K4H511638F-LCB3笔记本1866内存

K4H511638F-LCB3笔记本1866内存主图

K4H511638F-LCB3笔记本1866内存参数

制造商IC编号K4H511638F-LCB3

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR1 SDRAM

IC代码32MX16 DDR1

脚位/封装TSOP2

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.5 V

温度规格0°C to +85°C

速度DDR333 (166MHz @ CL=2.5, tRCD=3, tRP=3) *1

标准包装数量

标准外箱

潜在应用BATTERY/電池製造商LED APPLICATION/LED應用

K4H511638F-LCB3笔记本1866内存相关信息

电力电容器的基本结构包括：电容元件、浸渍剂、紧固件、引线、外壳和套管。

图1 补偿电容器结构图额定电压在1kV以下的称为低压电容器，1kV以上的称为高压电容器，都做成三相、三角形连接线，内部元件并联，每个并联元件都有单独的熔丝；高压电容器一般都做成单相，内部元件并联。外壳用密封钢板焊接而成，芯子由电容元件串并联组成，电容元件用铝箔作电极，用复合薄膜绝缘。电容器内衣绝缘油（矿物油或十二烷基苯等）作浸渍介质。

（1）电容元件用一定厚度和层数的固体介质与铝箔电极卷制而成。若干个电容元件并联和串联起来，组成电容器芯子。在电压为10kV及以下的高压电容器内，每个电容元件上都串有一熔丝，作为电容器的内部短路保护。当某个元件击穿时，其他完好元件即对其放电，使熔丝在毫秒级的时间内迅速熔断，切除故障元件，从而使电容器能继续正常工作。

（2）浸渍剂电容器芯子一般放于浸渍剂中，以提高电容元件的介质耐压强度，改善局部放电特性和散热条件。浸渍剂一般有矿物油、氯化联苯、SF6气体等。（3）外壳和套管外壳一般采用薄钢板焊接而成，表面涂阻燃漆，壳盖上焊有出线套管，箱壁侧面焊有吊攀、接地螺栓等。大容量集合式电容器的箱盖上还装有油枕或金属膨胀器及压力释放阀，箱壁侧面装有片状散热器、压力式温控装置等。接线端子从出线瓷套管中引出。