K4B2G1646E-BCK0p10闪存芯片

K4B2G1646E-BCK0p10闪存芯片主图

K4B2G1646E-BCK0p10闪存芯片参数

制造商IC编号K4B2G1646E-BCK0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR3 SDRAM

IC代码128MX16 DDR3

脚位/封装FBGA

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.5 V

温度规格0°C to +85°C

速度DDR3-1600(11-11-11)

标准包装数量1120

标准外箱

潜在应用LED APPLICATION/LED應用MODULE/FLASH CARD MAKER/記憶体/記憶卡製造商

K4B2G1646E-BCK0p10闪存芯片相关信息

排阻（NetworkResistor），即网络电阻器（Wire-woundResistor）。排阻是将若干个参数完全相同的电阻集中封装在一起，组合制成的。它们的一个引脚都连到一起，作为公共引脚。其余引脚正常引出。所以如果一个排阻是由n个电阻构成的，那么它就有n+1只引脚，一般来说，最左边的那个是公共引脚。它在排阻上一般用一个色点标出来。排阻具有装配方便、安装密度高等优点，目前已大量应用在电视机、显示器、电脑主板、小家电中。排阻通常都有一个公共端，在封装表面用一个小白点表示。其颜色通常为黑色或黄色。

➤集成参数完全相同的数个单一电阻

内部结构InnerConstrucTIon

➤§1：表层树脂封装➤§

2：电阻体。由排阻的精度确定➤§

3：保护层。材料多为玻璃➤§1

4：基片。材料多为陶瓷，少有云母➤§

5：电极➤§

6：管脚

和电阻一样，电容器的命名也有一定的规定，在国产电容器中，根据国家标准GB2470-81的规定主要包括4个部分，依次表示为：主称部分、介质材料、电容器类别和电容器序号。