H5TQ2G63FFR-H9C存储芯片经销商

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深圳振华航空半导体有限公司

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最大时钟频率667 MHz

功能数量1

端子数量96

最小工作温度0.0 Cel

最大工作温度85 Cel

额定供电电压1.5 V

最小供电/工作电压1.42 V

最大供电/工作电压1.58 V

加工封装描述HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96状态Activesub_categoryDRAMs

存取方式MULTI BANK PAGE BURSTaccess_time_max0.2550 nsinterleaved_burst_length4,8i_o_typeCOMMONjesd_30_codeR-PBGA-B96

存储密度2.15E9 bit

内存IC类型DDR DRAM

内存宽度16

端口数1

位数1.34E8 words

位数128M

操作模式SYNCHRONOUS

组织128MX16

输出特性3-STATE

包装材料PLASTIC/EPOXYpackage_codeTFBGApackage_equivalence_codeBGA96,9X16,32包装形状RECTANGULAR

包装尺寸GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCHpower_supplies__v_1.5qualification_statusCOMMERCIALrefresh_cycles8192seated_height_max1.2 mmsequential_burst_length4,8standby_current_max0.0120 Amp

最大供电电压0.2000 Amp

表面贴装YES工艺CMOS

温度等级OTHER

端子形式BALL

端子间距0.8000 mm

端子位置BOTTOMlength13 mmwidth7.5 mmadditional_featureAUTO/SELF REFRESH


一 万用表电阻挡的正确选择

因为电解电容的容量较一般固定电容大得多,所以,应针对不同容量选用合适的量程。根据经验,一般情况下,1~47UF间的电容,可用R*1K挡测量,大于47UF的电容可以用R*100挡测量。

二 测量漏电阻

将万用表红表笔接负极,黑表笔接正极。要刚接触的瞬间,万用表指针即向右偏转较大幅度(对于同一电阻挡,容量越大,摆幅越大),接着逐渐向左回转,直到停在某一位置。然后,将红黑表笔对调,万用表指针将重复上述摆动现象。但此时所测阻值为电解电容的反向漏电阻,此值略小于正向漏电阻。即反向漏电流比正向漏电流要大。实际使用经验表明,电解电容的漏电阻一般应在几百K欧姆以上,否则,将不能正常工作。在测试中,若正向反向均无充电现象,即指针不动,则说明容量消失或内部短路,如果所测阻值很小或为零,说明电容漏电大或已击穿损坏,不能再使用。

三 极性判别

对于正负极标志不明的电解电容器,可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻,记住其大小,然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值朋的那一次便是正向接法,即,黑表笔接的是正极,红表笔接的是负极。


型号/规格

H5TQ2G63FFR-H9C

品牌/商标

SKhynix

封装

FBGA84

批号

17+