晶体管 SI4431BDYT1E3 半导体产品

地区:广东 深圳
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SI4431BDYT1E3介绍:

描述 MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 22 周

详细描述 表面贴装 P 沟道 30V 5.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 5V

Vgs(最大值) ±20V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 1.5W(Ta)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 30 毫欧 @ 7.5A,10V

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SO

封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

艾睿(深圳)实业有限公司介绍:


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光晶体管(phototransistor)由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸收,产生光生载流子,通过内部电放大机构,产生光电流增益。



系列

TrenchFET®

类别

半导体产品

产品族

-

电压

30V