晶体管NDT3055L MOSFET

地区:广东 深圳
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NDT3055L介绍:

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 345pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 3W(Ta)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 4A,10V

工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-223-4

封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA

艾睿(深圳)实业有限公司介绍:


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CMOS逻辑门的切换速度与其元件的栅极电容有关。但是当栅极电容随著MOSFET尺寸变小而减少,同样大小的芯片上可容纳更多晶体管时,连接这些晶体管的金属导线间产生的寄生电容效应就开始主宰逻辑门的切换速度。



系列

-

类别

晶体管

产品族

-

电压

4.5V,10V