制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
FDV303N
描述 MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 42 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 680mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 680mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 350mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 450 毫欧 @ 500mA，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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