IR原装MOSFET管IRFP4568PBF

地区:广东 深圳
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一、参数

型号:IRFP4568PBF

品牌:IR

封装:TO-247

类别:MOSFET管

零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 150V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 171A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 227nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10470pF @ 50V
Vgs(最大值) ±30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 517W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 5.9 毫欧 @ 103A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247AC
封装/外壳 TO-247-3
包装方式:管装

二、IRFP4568PBF优势特点
改进的闸门,雪崩和动态dV /dt
强度
全特征的电容和雪崩
SOA
增强体二极管dV / dt和dI / dt的能力
无铅
三、应用程序

SMPS中高效同步整流
不间断电源
高速功率切换
硬开关和高频电路

GD

四、实物图

型号

IRFP4568PBF

品牌

IR

封装

TO-247

类别

MOSFET管

FET 类型

N 沟道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

150V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

171A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On)

10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值)

5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)

227nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)

10470pF @ 50V

工作温度

-55°C ~ 175°C(TJ)

包装方式

管装