供应 NVMFS4C05NT1G SO-8FL onsemi(安森美) 场效应管

地区:广东 深圳
认证:

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品牌
ON(安森美)
封装
SO-8FL
批号
新年份
数量
6000
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS

技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
116 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
小工作温度
- 55 C
大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.61 W
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
配置
Single
系列
NVMFS4C05N
商标
ON Semiconductor
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
单位重量
107.200 mg
可售卖地
全国
型号
NVMFS4C05NT1G NVMFS4C05NT1G SO-8FL onsemi(安森美) 场效应管

NVMFS4C05NT1G SO-8FL onsemi(安森美) 场效应管 NVMFS4C05NT1G SO-8FL onsemi(安森美) 场效应管
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型号

NVMFS4C05NT1G

封装

SO-8FL

品牌

onsemi(安森美)

批次

新年份

数量

6000