供应DMG1029SV-7双P沟道增强型MOSFET

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汲极/源极击穿电压： 60 V, - 60 V

闸/源击穿电压：   +/- 20 V

漏极连续电流：     500 mA, - 410 mA

导通电阻：  1.7 Ohms, 4 Ohms

配置：    Complementary

最大工作温度：     + 150 C

安装风格：  SMD/SMT

封装 / 箱体：  SOT-563-6

封装：    Reel

商标：    Diodes Incorporated

下降时间：  9.9 ns, 11.6 ns

正向跨导 - 最小值：  80 mS, 50 mS

栅极电荷 Qg： 0.3 nC, 0.28 nC

最小工作温度：     - 55 C

功率耗散：  0.45 W, 1 W

上升时间：  3.4 ns, 7.9 ns

系列：    DMG1029SV

典型关闭延迟时间：   15.7 ns, 10.6 ns