强茂2N7002 N通道增强型MOSFET-ESD保护

深圳黄金树科技有限公司代理美国福斯特FIRST，无锡新洁能股份有限公司NCEPOWER功率产品，江苏捷捷微JJM可控硅 等二三极，肖特基 LOWVF值电子元件器 本公司长期有强茂库存，强茂2N7002本公司大量现货，低价出售，保证强茂原厂原装品质

RDslONyVs@10v.@500Ma=3毫欧

PARAMETE R  标志 限制 单位

漏源电压  VDS 60 V

门极电压 VDS +20 V

直流电压 ID 300 mA

脉冲漏电流 M 2000 mA

最大功耗 TA=25度 T=75度 350mW 210mW

操作结和储存温度范围 TJ,TSTG -55 to +150 度

连接到环境热阻（印制电路板） ROJA 357 度/W

RDslONyVs@10v.@500Ma=3毫欧
PARAMETE R  标志 限制 单位
漏源电压  VDS 60 V
门极电压 VDS +20 V
直流电压 ID 300 mA
脉冲漏电流 M 2000 mA
最大功耗 TA=25度 T=75度 350mW 210mW
操作结和储存温度范围 TJ,TSTG -55 to +150 度
连接到环境热阻（印制电路板） ROJA 357 度/W