硅平面功率齐纳二极管

　　硅平面功率齐纳二极管

　　型号：1N5221

　　硅平面功率齐纳二极管

　　标准齐纳电压公差为±5%(带“B”后缀)，±10%(带“A”后缀)

　　这些二极管也可用于Mini-MELF外壳，型号为ZMM5225…ZMM5267

　　硅平面功率齐纳二极管典型应用：

　　外壳：DO-35玻璃外壳

　　重量：约0.13g

　　zui大额定值和热特性：

　　齐纳电流(见表“特性”)：/

　　TL=25℃时的功耗：300℃/W

　　与环境空气的热电阻结：500mW

　　zui高结温度：175℃

　　储存温度范围：-65 ~ +175℃

　　额定值和特性曲线：

　　(除非另有说明，TA=25℃)

　　硅平面功率齐纳二极管电特性：

　　IZT VZ额定齐纳电压(伏特):2.4

　　测试电流IZT (mA): 20

　　zui大齐纳阻抗:

　　在IZT ZZT(Ω):30

　　at IZK=0.25mA ZZK (Ω):1200

　　典型温度系数αvz(%/K):-0.085

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