MP1907GQ MOSFET驱动器 特价 样品

MP1907GQ 描述

该MP1907是高频，100V半桥式N沟道功率MOSFET驱动器。它的低边和高边驱动器通道独立地控制和较少的匹配比时间延迟为5ns 。欠压锁定这两个高边和低边电源强行产出低的情况下，供给不足。两输出将保持低电平，直到在上升沿任一输入被检测到。综合自举二极管减少了外部元件算。

MP1907GQ 特性

•驱动N沟道MOSFET半桥

•100V VBST电压范围

•输入信号重叠保护

•片上自举二极管

•典型20ns的传播延迟时间比

•5ns的栅极驱动不匹配减

•驱动1nF的负载为12ns / 9ns上升/下降时间用12V VDDTTL兼容输入

•超过150μA静态电流少

•小于5μA关断电流

•UVLO为高侧和低侧在

•3 × 3毫米QFN10封装

MP1907GQ 应用

•电池动力手工具

•电信桥电力供应的一半

•设备直流-直流转换器

•向前有源转换器

MP1907GQ 典型的应用程序

MP1907GQ一般信息数据列表MP1907 Datasheet;标准包装5,000包装标准卷带类别集成电路（IC）产品族PMIC - 栅极驱动器系列-

规格驱动配置半桥通道类型独立式栅极类型N 沟道 MOSFET电压 - 电源4.5 V ~ 18 V逻辑电压 - VIL，VIH1V，2.4V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）2.5A，2.5A输入类型非反相上升/下降时间（典型值）12ns，9ns工作温度-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型表面贴装封装/外壳10-VFDFN 裸露焊盘供应商器件封装10-QFN（3x3）