MM3Z9V1 MM3Z9V1T1G LM3Z9V1T1G 厂价直销价格优势

MM3Z9V1T1G的技术参数

产品型号:MM3Z9V1T1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):8.500
齐纳击穿电压Vz典型值(V):9.100
齐纳击穿电压Vz最大值(V):9.600
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):15
最大功率PMax(W):0.200
芯片标识:0K
封装/温度(℃):SOD323/-65~150

产品广泛应用于：

最新的便携式电器、DVD、MP4、音响、电视、遥控、机顶盒、数码播放机、数字视听、平板显示、液晶、电源、网络、手机、汽车、照明、节能灯、消费类电子、以及工业等终端产品

型号/规格

MM3Z9V1T1G

品牌/商标

ON（安森美）

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特性

中功率

频率特性

中频

极性

NPN型