SQD50P08-28 SQD50P08-分立半导体产品

Digi-Key 零件编号
 SQD50P08-28_GE3-ND 
制造商
Vishay Siliconix 
 制造商零件编号
 SQD50P08-28_GE3 

类别
分立半导体产品   
晶体管 - FET，MOSFET - 单   

制造商
Vishay Siliconix 

系列
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET®  

零件状态
在售  

FET 类型
P 沟道  

技术
MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）
80V  

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
48A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V  

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 250µA  

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
145nC @ 10V  

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
6035pF @ 25V  

Vgs（最大值）
±20V  

FET 功能
-  

功率耗散（最大值）
136W（Tc）  

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
28 mOhm @ 12.5A, 10V  

工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型
表面贴装  

供应商器件封装
TO-252AA  

封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 

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