NDB6020P FAIRCHILD分立半导体产品

零件编号 NDB6020PTR-ND
检查提前期
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
制造商零件编号
NDB6020P
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 35nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1590pF @ 10V
Vgs（最大值） ±8V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 60W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 50 毫欧 @ 12A，4.5V
工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 D2PAK（TO-263AB）
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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系列

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类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - FET，MOSFET - 单

电压 - 电源

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供应NDB6020P FAIRCHILD分立半导体产品