VP1008B VISHAY分立半导体产品

Vishay Siliconix
制造商零件编号
VP1008B
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态过期
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 790mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 150pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 6.25W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 5 欧姆 @ 1A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装 TO-39
封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐

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系列

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类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - FET，MOSFET - 单

电压 - 电源

-

供应VP1008B VISHAY分立半导体产品